氧化鋅，作為一種第三代半導(dǎo)體材料，擁有3.37eV的禁帶寬度和60meV的激子束縛能，歸類于II-VI族半導(dǎo)體。由于其獨(dú)特的壓電、電學(xué)、光學(xué)記憶性能，氧化鋅在傳感器、導(dǎo)電記憶元件、激光系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。當(dāng)前，鋰摻雜被認(rèn)為是提高氧化鋅薄膜光電性能的有效方法之一。

通過(guò)磁控濺射法制備的鋰摻雜氧化鋅薄膜，展現(xiàn)出六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)，并具有良好的c軸取向。這些薄膜在可見(jiàn)光波段顯示出優(yōu)異的透光率，并且在紫外區(qū)域具有陡峭的吸收邊。光致發(fā)光譜分析顯示，鋰摻雜氧化鋅在390nm、408nm、434nm、465nm處出現(xiàn)受激發(fā)射。鋰摻雜氧化鋅薄膜之所以被歸類為n型半導(dǎo)體，是因?yàn)殇囘M(jìn)入晶格后會(huì)形成Lizn-Lii復(fù)合施主。

研究表明，提升生長(zhǎng)和退火溫度對(duì)提高薄膜的結(jié)晶度具有正面作用。在較高溫度環(huán)境下，Lizn-Lii復(fù)合施主會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>Lizn受主，導(dǎo)致鋰摻雜氧化鋅薄膜中的載流子濃度隨生長(zhǎng)或退火溫度的升高而降低。此外，高溫還會(huì)影響原子間軌道的雜化和缺陷特性，進(jìn)而使光致發(fā)光強(qiáng)度隨生長(zhǎng)和退火溫度的提高而減弱。

進(jìn)一步的研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)氬氧比達(dá)到10:1時(shí)，鋰摻雜氧化鋅薄膜的結(jié)晶性達(dá)到最佳狀態(tài)。同時(shí)，該薄膜的禁帶寬度與氧氣含量呈負(fù)相關(guān)關(guān)系。在此氬氧比下，鋰摻雜氧化鋅薄膜的載流子濃度最低，這表明在氬氧比為10:1的條件下，可以最大限度地形成受主能級(jí)并減少施主能級(jí)。

肇慶市新潤(rùn)豐高新材料有限公司擁有完整的氧化鋅產(chǎn)業(yè)鏈，主營(yíng)產(chǎn)品有：發(fā)明專利產(chǎn)品RA95型釉用活性煅燒氧化鋅、超耐磨活性氧化鋅、釉用抗菌氧化鋅、納米分散液、高端熔塊氧化鋅、超自潔活性氧化鋅、納米易潔氧化鋅抗菌涂膜、重質(zhì)超導(dǎo)熱球形氧化鋅、間接法99.7低鉛環(huán)保級(jí)氧化鋅、常規(guī)99.5和99.6煅燒氧化鋅等各種規(guī)格氧化鋅，品種齊全。