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氧化鋅Zno薄膜的性能分析
發(fā)布時(shí)間:2022-03-23
2、氧化鋅(ZnO)薄膜的電學(xué)性能
由于ZnO 薄膜中存在本征施主缺陷,如間隙Zn 原子、O空位等,使得ZnO 薄膜天然呈弱n 型導(dǎo)電。因此ZnO 薄膜的電阻率一般較高,在10-2 Ω·cm 數(shù)量級(jí)。但通過調(diào)整生長(zhǎng)、摻雜或退火條件可形成簡(jiǎn)單半導(dǎo)體薄膜,導(dǎo)電性能大幅提高,電阻率可降低到10-4 Ω·cm 數(shù)量級(jí)。